刘新宇的个人简介
刘新宇，男，汉族，1973年10月出生，无党派人士，现任中国科学院微电子研究所副所长，微电子专业博士，研究员，博士生导师。
个人简历
刘新宇，男，曾任中国科学院微电子研究所所长助理、微波器件与集成电路研究室（四室）主任 ，2011年5月任中国科学院微电子研究所副所长 。还担任中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室副主任，电子学会青年工作委员会委员，是国家“核高基”重大专项“十二五”编写组专家。
学习经历
1991――1995年，安徽师范大学物理系 学士
1995――1998年，航天部771所微电子专业 硕士
1998――2000年，中国科学院微电子研究所微电子专业 博士
研究方向
主要研究领域为：III-V族化合物（GaAs、InP、GaN）半导体器件和电路工艺，微波MMIC设计和研制，以及微波功率模块研究。
学科类别
微波器件、模块与集成电路
承担科研项目情况
1998-2001年作为主要负责人参与国家九五攻关项目（亚微米CMOS/SOI器件与电路研究）和院重点创新项目（CMOS/SOI 64Kb静态随机存储器研制），负责电路设计和工艺开发总体工作，“亚微米CMOS/SOI器件与电路研究”已通过国家验收，并在国内首次研发出大规模CMOS/SOI 64Kb静态随机存储器电路。
2000年，作为负责人之一参加院重点创新项目（8×10Gb/s DWDM光纤通信光电发射模块研究），负责工艺开发工作。
2001年，主持国内首条4英寸GaAs生产线建设，成功开发4英寸GaAs HBT和HEMT工艺流程。
2002年，作为首席专家助理参加973项目“新一代化合物半导体电子器件与电路研究”，协助首席科学家钱鹤研究员开展项目整体协调，负责科研进度管理和财务稽查，同时负责重点子课题“AlGaN/GaN微波功率器件”。
2002年11月，作为首席科学家（钱鹤研究员）助理参加院重点创新项目，成功研制出国内领先的GaN基功率器件和InP基超高频器件和电路，部分成果达到国际先进水平。
2006年，作为首席科学家负责重点创新项目“X波段宽禁带半导体功率器件和材料研究”。
2008年，作为负责人之一负责自然基金重大项目“氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究”。
2009年，作为首席科学家带领团队获973项目“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”滚动支持。
事迹简介
他师从著名科学家吴德馨院士，主要从事抗辐照SOI CMOS电路和化合物半导体微波器件、电路及模块的研究与开发。先后参加和主持国家级项目9项，科研经费达到1.3亿元。2000年，在国内首次研发出大规模CMOS/SOI 64Kb静态随机存储器电路和万门级全耗尽门阵列电路。2002年，年仅29岁的他被破格提升为研究员。2004年，担任“973”项目“新一代化合物半导体电子器件与电路研究”首席科学家。2006年，接任973项目首席科学家。2007年5月，作为首席科学家负责院重点创新项目。 2009年，作为首席科学家的“973”项目“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”获得科技部的滚动支持，获得国防科技一等奖一项。他先后在国内外重要学术刊物上发表学术论文90余篇，申请国家发明专利26项。他是微电子所重点培养的青年后备干部。
