刘志伟（电子科大教授）的个人简介
刘志伟：男，电子科技大学副教授。刘志伟于2010年8月获得美国中佛罗里达大学电子工程专业博士学位。目前是电子科技大学微电子与固体电子学院副教授。刘志伟在半导体器件静电保护方面有着将近10年的研究经验，曾经在美国ADI，Intersil等知名公司工作或实习，所开发的ESD保护方案在多家半导体公司的芯片上大规模生产，获得美国专利授权1项，中国国家发明专利1项。作为项目负责人承担国家自然科学基金青年基金，国家重点实验室开放基金以及多项横向合作项目。刘志伟的研究成果在国内外专业期刊上发表论文20余篇(包括EDL 3篇，TED 2篇)，翻译ESD相关专著1本。参加ICSICT2013和IEEE EDSSC 2013以及IEDMs 2014国际会议并做受邀报告。担任多家期刊(IEEE EDL, IEEE TED, Microelectronic Reliability)的评审，2013年被授予IEEE EDL金牌审稿人。作为IEEE EDS成都分会秘书，积极组织成都地区电子器件领域的学术交流活动。
人物简介
刘志伟于2010年8月获得美国中佛罗里达大学电子工程专业博士学位。目前是电子科技大学微电子与固体电子学院副教授。刘志伟在半导体器件静电保护方面有着将近10年的研究经验，曾经在美国ADI，Intersil等知名公司工作或实习，所开发的ESD保护方案在多家半导体公司的芯片上大规模生产，获得美国专利授权1项，中国国家发明专利1项。作为项目负责人承担国家自然科学基金青年基金，国家重点实验室开放基金以及多项横向合作项目。刘志伟的研究成果在国内外专业期刊上发表论文20余篇(包括EDL 3篇，TED 2篇)，翻译ESD相关专著1本。参加ICSICT2013和IEEE EDSSC 2013以及IEDMs 2014国际会议并做受邀报告。担任多家期刊(IEEE EDL, IEEE TED, Microelectronic Reliability)的评审，2013年被授予IEEE EDL金牌审稿人。
教育背景
2005.09－2010.08 美国中佛罗里达大学，微电子器件，博士学位
2001.09－2003.06 华中科技大学，微电子科学与技术，硕士学位
1997.09－2001.06 华中科技大学，电子工程，学士学位
工作履历
2011-现在，电子科技大学微电子与固体电子学院，副教授
2010-2011，北京大学深圳SOC重点实验室，芯片ESD相关研究。
2003.07-2004.12，美国模拟器件公司(ADI)北京设计中心，任芯片设计工程师
学术兼职
IEEE Member,
担任IEEE EDL, TED, Micro-electronic等多种刊物的评审
担任IEEE电子器件协会成都分会的秘书
担任2012 IEEE电子器件的小型座谈会主席
担任2016 IEEE国际纳米电子学会议主席
担任2014 IEEE电子器件和固态电路会议秘书
担任ESDA学生分会---成都分会顾问
荣誉奖励
2014年1月，获得微固学院优秀综合导师制指导老师奖。
2007年获IEEE Orlando区域杰出研究生奖。
2005-2009获美国中佛罗里达大学校长奖学金。
Journal Papers:Jizhi Liu,Zhiwei Liu, Ze Jia and Juin J. Liou, “A novel DTSCR with a variation lateral base doping structure to improve turn-on speed for ESD protection”,Journal of Semiconductors, Vol. 35, 2014
Linfeng He, T.K. Chiang, Juin J. Liou, Wenchao Zheng andZhiwei Liu, “A new analytical subthreshold potential/current model for quadruple-gate junctionless MOSFETs”,IEEE Transactions on Electron Device, Vol. 61, pp. 1972-1978 ,2014.
Ze Jia, Gong Zhang, Jizhi Liu,Zhiwei Liuand Juin J. Liou, “Reference voltage generation scheme enhancing speed and reliability for 1T1C-type FRAM”,Electronics Letters, Vol. 50, pp. 154-156, 2014.
Shurong Dong, Meng Miao, Jian Wu, Jie Zeng,Zhiwei Liuand Juin J. Liou, “Low-capacitance SCR structure for RF I/O Application”,IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Vol. 55, pp. 241-247, 2013.
Zhiwei Liu, Cao Yu, Chenyue Ma, Wen Wu, Wenping Wang, Ruonan Wang, Jin He, “FinFET Reliability Issue Analysis by Forward Gated-Diode Method”,NSTI Nanotech, Vol. 2, pp. 168-171, 2011.
Zhiwei Liu, Juin J. Liou, Shurong Dong and Yan Han, “Stacked Silicon Controlled Rectifier Structure for High-Holding Voltage ESD Protection Applications”,IEEE Electron Device Letter, vol. 31, no.8, August 2010, pp. 845-847, 2010
Zhiwei Liu, Juin J. Liou and Jim Vinsion, “Novel Silicon-Controlled Rectifier (SCR) for high- voltage Electrostatic Discharge (ESD) applications”,IEEE Electron Device Letter,vol. 29, no.7, July 2008
Zhiwei Liu, Jim Vinson, Lifang Lou, Juin J. Liou, “An improved bi-directional SCR structure for low-triggering voltage ESD protection application”,IEEE Electron Device Letter,vol. 29, no.4, pp. 360-362, April 2008
Javier A. Salcedo, Juin J. Liou,Zhiwei Liuand James E. Vinson, “TCAD methodology for design of SCR devices for Electrostatic Discharge (ESD) applications”,IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 54, no. 4, pp. 822-832, April 2007
Conference Papers:Guoyan Zhang, Aihua Dong, Nie Liu, Rui Tian, Xuejiao Yang,Zhiwei Liu, Kohui Lee, Horng-Chih Lin, Juin J. Liou and Yuxin Wang, “Failure analysis of gate-all-around nanowire field effect transistor under TLP test”,2014 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC2014), Jun. 18-20, Chengdu, China, 2014.
Z. Jia, J. L. Xu, N. W. Zhang, J. Z. Liu,Zhiwei Liuand Juin J. Liou, “Effects of La and Mn dopants on BiFeO3 applied in FeFETs”, 2013International Electron Devices and Material Symposium, National Chi Nan University, Nantou, Taiwan, Nov. 28-29, 2013 (invited paper)
Zhiwei Liu，Aihua Dong, Zhuoyu Ji, Long Wang, Linfeng He, Wei Liang, Jiabin Miao and Juin J. Liou, “Evaluation of Electrostatic Discharge (ESD) Characteristics for Organic Thin Film Transistor”,2013 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC2013), Jun.3-5, Hong Kong, China, 2013 (invited paper)
Zhiwei Liu, Jin He, Juin J. Liou, Jizhi Liu, “Segmented SCR for High Voltage ESD Protection”,11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Oct. 29 u2013 Nov. 1, Xiu2019an, China, 2012 (invited paper)
Juin J. Liou, Javier A. Salcedo, andZhiwei Liu, “Robust ESD protection solutions in CMOS/BiCMOS Technologies”,IEEE Symposium on Microelectronics Technology and Devices, Rio de Janerio, Brazil, Sept. 3-6, 2007 (invited Paper)
J. A. Salcedo,Zhiwei Liu, J.J. Liou and J.E. Vinson, “Computer-aided design methodology for electrostatic discharge (ESD) protection applications,”IEEE International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems,Carmen, Mexico, April 26-28, 2006
U.S. Patent:
Zhiwei Liu, J.J. Liou and Jim Vinson, “Silicon-controlled rectifier (SCR) for high-voltage Electrostatic Discharge (ESD) applications”, 2010, No.7842971
学生培养
指导2014级硕士研究生2名，2012级硕士研究生2名，2013级硕士研究生2名。
从2011年开始，每年指导综合导师制本科生5名，本科毕业设计5名。
目前指导的本科生中，有5名已经拿到国外全额奖学金出国，有1名获得2014年成电杰出学生称号。
毕业的研究生大多去集成电路相关公司工作：华为海思，苏州瑞晟微电子, 杭州矽力杰等。
