恼的个人简介
恼叛芯吭保校1983年南京师范大学本科毕业，1986年中国科学院电子学研究所硕士毕业，同年到南京55所工作，1997年5月晋升研究员，2000年6月调入深圳大学。基本内容
恼叛芯吭保校1983年 南京师范大学本科毕业， 深圳大学研究员恼 1986年中国科学院电子学研究所硕士毕业，同年到南京55所工作，1997年5月晋升研究员，2000年6月调入 深圳大学。长期从事PDP平板显示研究，曾获电子部科技进步二等奖1项，荣获电子部部级优秀科技青年、江苏省新长征突击手等荣誉称号，现为国家“863”计划平板显示专项战略专家组成员。主持或参与完成了“256×256等离子体显示器”、“512×256等离子体显示板”、“512×512线等离子体显示板”、“600×400等离子体显示板”、“640×400等离子体显示板”、“640×480等离子体显示模块”、“768×512等离子体显示终端”、“PDP加速寿命试验研究”、“多色PDP光柱显示”、“等离子体选址液晶显示（PA－LCD）技术研究”等十多项国家重点军事工程新型显示器的研究和科技部“八五”国家科技攻关项目“大屏幕电视平板显示系统技术方案的研究”、国家计委“九五”国家重点科技攻关项目“彩色等离子体显示器”等多项重要研究项目。单金属电极增厚及制作、高分辨率电极断线和短路等缺陷的修补、高密度各向异性导电粘接膜电极引出、全薄膜低温制作大面积高分辨率显示器件关键技术等问题的研究有重要创新，其中高密度各向异性导电粘接膜技术的研究使我国继日本、美国之后成为第三个拥有该技术的国家，768×512 PDP显示器到目前为止仍是我国自主研制的分辨率最高、显示面积最大的平板显示器。上述研究成果已成功地应用于052、093、094、10号等国防重点工程的指控、导航、通信和雷达系统中。目前正在承担着国家863“十五”重大专项“高清晰度平板显示技术”的研究。发表论文20篇。
