孟庆巨的个人简介
孟庆巨，吉林大学电子科学与工程学院微电子学系教授。半导体物理与器件研究方向。
人物经历
吉林大学电子科学与工程学院微电子学系教授。半导体物理与器件研究方向。
教学情况
1. 近五年来讲授的主要课程：
⑴《半导体器件物理与实验》（1）专业基础课4学时/周 4届 350人
⑵《半导体器件物理与实验》（3） 专业基础课 3学时/周 2届 150人
⑶《半导体物理》 研究生专业基础课 3学时/周 5届 500人
⑷《半导体器件物理》 研究生专业基础课 3学时/周 5届 500人
2.承担的实践性教学：
毕业设计/论文20人
3. 主持的教学研究课题
1) 主编《半导体器件物理》教材（修订版） 科学出版社十五教材建设项目（2008年年底出版）
2) 《半导体器件物理与实验》精品课程建设，吉林大学，四年，课程负责人
3) 《半导体器件物理与实验》精品课程建设，吉林省，四年，课程负责人
4. 出版的教材
《半导体器件物理》，主编，（41.8万字），科学出版社，2005年1月，第一次印刷；2005年7月，第二次印刷,2006年3月第三次印刷。
学术研究
学术研究课题
（1）新型结构高活性纳米TiO2 可见光催化剂制备，国家自然科学基金委员会（批准号：50472035），(项目负责人，3年)
（2）HVPE方法制备GaN多晶薄膜及GaN蓝色与紫外发光管，合作项目，与北京大学“宽禁带半导体研究中心”合作， (项目负责人，3年)
（3）立方氮化硼单晶半导体特性研究 吉林省科技厅，（主要参加人，3年）
发表论文
（1）聚苯胺/TiO2/ITO薄膜电极光致界面电荷转移, Chem. J. Chin. Univ., 2004，第一作者。
（2）Sn4+ 惨杂对TiO2纳米颗粒膜光催化降解苯酚活性的影响，Chem. J. Chin. Univ., 2001，第一作者。
（3）Effect of Plasma Treatment on Surface Properties of TiO2 Nonparticulate Films, Colloids and Surfaces A,2005,262:181-186 第二作者,指导教师。
(4). Measurement of the linear electro-optic coefficient of a minute cBN sample ，Science in China Ser.E Engineering &Materials Science ，2005，第二作者
（5）Energy Band Structure of Alq3/TCAQ Heterostructure Complex Film Determined by Surface photo-Voltage Spectroscopy Chem. Res. Chin. Univ.,2003 第一作者
书籍作品
《半导体器件物理》
本书结合一些基础的、主要的、常用的半导体器件，介绍了半导体器件的基本结构、主要工艺技术和物理原理。全书内容包括：半导体物理基础、PN结、金属-半导体结、结型场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、半导体太阳电池和光电二极管、半导体发光管和激光器、集成器件和电荷耦合器件等。
本书可作为高等院校微电子、光电子、电子科学与技术等专业本科生和研究生的教材，也可供有关专业的研究人员和工程技术人员参考。
序言
前言
主要符号表
第一章半导体物理基础
1.1半导体中的电子状态
1.2载流子的统计分布
1.3简并半导体
1.4载流子的散射
1.5 载流子的输运
1.6非平衡载流子
第二章 PN结
2.1 热平衡PN结
2.2 加偏压的PN结
2.3 理想PN结的直流电流-电压特性
2.4 空间电荷区的复合电流和产生电流
2.5 隧道电流
2.6 I-V特性的温度依赖关系
2.7 耗尽层电容求杂质分布和变容二极管
2.8 小信号交流分析
2.9 电荷贮存和反向瞬变
2.10 PN结击穿
第三章双极结型晶体管
3.1 双极结型晶体管的结构
3.2 基本工作原理
3.3 理想双极结型晶体管中的电流传输
3.4 埃伯斯-莫尔方程
3.5 缓变基区晶体管
3.6基区扩展电阻和电流集聚
3.7基区宽度调变效应
3.8 晶体管的频率响应
3.9 混接π型等效电路
3.10 晶体管的开关特性
3.11 击穿电压
3.12 P-N-P-N结构
3.13异质结双极晶体管
3.14 几类常见的HBT
第四章 金属-半导体结
4.1肖特基势垒
4.2 界面态对势垒高度的影响
4.3 镜像力对势垒高度的影响
4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性
4.5 肖特基势垒二极管的结构
4.6 金属-绝缘体-半导体肖特基势垒二极管
4.7 肖特基势垒二极管和PN结二极管之间的比较
4.8 肖特基势垒二极管的应用
4.9 欧姆接触
第五章结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管
5.1 JFET的基本结构和工作过程
5.2 理想JFET的I-V特性
5.3 静态特性
5.4 小信号参数和等效电路
5.5 JFET的截止频率
5.6 夹断后的JFET性能
5.7 金属-半导体场效应晶体管
5.8 JFET和MESFET的类型
5.9 异质结MESFET和I-IEMT
第六章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区
6.2 理想MOS电容器
6.3 沟道电导与阈值电压
6.4 实际MOS的电容-电压特性
6.5 MOS场效应晶体管
6.6 等效电路和频率响应
6.7 亚阈值区
6.8 MOS场效应晶体管的类型
6.9 影响阈值电压的其余因素
6.10 器件尺寸比例
第七章 太阳电池和光电二极管
7.1 半导体中的光吸收
7.2 PN结的光生伏打效应
7.3 太阳电池的I-V特性
7.4 太阳电池的效率
7.5 光产生电流和收集效率
7.6 提高太阳电池效率的考虑
7.7肖特基势垒和MIS太阳电池
7.8 非晶硅(a-Si)太阳电池
7.9 光电二极管
7.10 光电二极管的特性参数
第八章 发光二极管与半导体激光器
8.1 辐射复合与非辐射复合
8.2 LED的基本结构和工作过程
8.3 LED的特性参数
8.4 可见光LED
8.5红外LED
8.6 异质结LED
8.7 半导体激光器及其基本结构
8.8 半导体受激发射的条件
8.9 结型半导体激光器的特性
8.10 异质结激光器
第九章 集成器件
9.1 双极集成器件的隔离工艺
9.2 集成电路中的无源元件
9.3 双极型反相器
9.4 集成注入逻辑
9.5 NMOS逻辑门电路
9.6 NMOS存储器件
9.7 CMOS反相器
9.8砷化镓集成电路
第十章电荷转移器件
10.1 电荷转移
10.2 深耗尽状态和表面势阱
10.3 MOS电容的瞬态特性
10.4 信息电荷的输运转换效率
10.5 电极排列和CCD制造工艺
10.6 体内(埋入)沟道CCD
10.7 电荷的注入、检测和再生
10.8 集成斗链器件
10.9 电荷耦合图像器件
参考文献
附录A 物理常数
附录B 重要半导体的性质
附录C硅、锗和砷化镓的性质
